近日，美國哈佛大學和英國利茲大學的一個聯(lián)合研究小組研制了一種新型太赫茲半導體激光器，其發(fā)射的太赫茲光波的準直性能比傳統(tǒng)太赫茲光源有顯著改善。該激光器的研發(fā)成功，為太赫茲科技的應用開拓了更廣闊的空間。

    新型太赫茲激光器突破了傳統(tǒng)材料的局限。研究小組刻了一組亞波長光柵，直接加倍了超材料晶面的光流量，設備以3太赫茲（百億赫茲）的頻率發(fā)射光線（波長為100微米，在可見光譜中屬于遠紅外線），降低了半導體激光器的散射角度，同時保持了光能的高輸出功率。

    這種超材料被直接嵌入光學設備的高吸收性砷化鎵晶面上，人造光顯示出深淺不同的微米光柵，各具不同的功能。淺藍色的狹縫能將輸出的激光功率加倍，導向并限定在晶體表面。

    太赫茲射線能穿透紙張、衣物、塑料和其它一些材料，在探測隱匿武器和生物制劑方面非常理想，在做腫瘤成像檢測時對人體無傷害和副作用，還能探測材料內(nèi)部諸如斷裂之類的缺陷。如果應用在激光加工設備上，加工的精度可以提高數(shù)倍。

    研究的另一項重要意義就是這種超材料的光導作用。該設備產(chǎn)生的極強太赫茲光線，以直線光束導向激光晶面，這種超強的限定導向作用，還可應用于傳感器和太赫茲光路。

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